ASML瞄準下一代Hyper

近年來(lái)，瞄準ASML站到了世界半導體技術(shù)的下代中心位置，成為了先進(jìn)半導體生產(chǎn)供應鏈的瞄準關(guān)鍵一環(huán)。目前ASML有序地執行其路線(xiàn)圖，下代在EUV之后是瞄準High-NA EUV技術(shù)，去年末已向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機。下代雖然業(yè)界才剛剛準備邁入High-NA EUV時(shí)代，瞄準但是下代ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的瞄準解決方案。

據外媒報道，ASML公布了下一代Hyper-NA EUV技術(shù)路線(xiàn)圖，瞄準目前仍處于開(kāi)發(fā)的下代早期階段。前ASML首席技術(shù)官Martin van den Brink在今年5月舉行的瞄準imec ITF World的演講中表示，從長(cháng)遠來(lái)說(shuō)需要改進(jìn)照明系統，下代必須采用Hyper-NA，瞄準同時(shí)還需要將所有系統的生產(chǎn)效率提升至每小時(shí)400到500片晶圓。

ASML計劃在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻機，數值孔徑將達到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的數值孔徑為0.55，EUV則是0.33，隨著(zhù)精度的進(jìn)一步提高，可實(shí)現更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征。對ASML而言，未來(lái)Hyper-NA技術(shù)還將推動(dòng)其整體EUV能力平臺，以改善成本和交付周期。

Hyper-NA技術(shù)肯定會(huì )帶來(lái)一些新的挑戰，比如光刻膠，需要變得更薄。按照imec高級圖案化項目總監Kurt Ronse的說(shuō)法，High-NA EUV應該可以覆蓋2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的制程節點(diǎn)。在那之后，Hyper-NA EUV將開(kāi)始接管。