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價(jià)值3.83億美元 Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
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簡(jiǎn)介8月6日消息,在近日的財報電話(huà)會(huì )議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設備之 ...
8月6日消息,價(jià)值在近日的億美元財報電話(huà)會(huì )議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的拿下High NA EUV(極紫外光刻機)。
High NA EUV光刻機是全球目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設備之一,其分辨率達到8納米,第臺能夠顯著(zhù)提升芯片的刻機晶體管密度和性能,是價(jià)值實(shí)現2nm以下先進(jìn)制程大規模量產(chǎn)的必備武器。
帕特·基辛格表示,億美元第二臺High NA設備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的拿下晶圓廠(chǎng),預計將支持公司新一代更強大的全球計算機芯片的生產(chǎn)。
此前,第臺Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻機,刻機并在俄勒岡州晶圓廠(chǎng)完成了組裝。價(jià)值
此次第二臺設備的億美元引入,將進(jìn)一步提升Intel在高端芯片制造領(lǐng)域的拿下競爭力,有望幫助公司在2025年實(shí)現對臺積電等競爭對手的超越。
High NA EUV光刻機的引入,是Intel"IDM 2.0"戰略的一部分,該戰略旨在通過(guò)技術(shù)創(chuàng )新和工藝提升,重塑Intel在全球半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導地位。
Intel計劃在2027年前將High NA EUV技術(shù)用于商業(yè)生產(chǎn),并在2030年前實(shí)現代工業(yè)務(wù)的收支平衡。
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