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功耗降低、性能提升!我國科學(xué)家發(fā)明新型“熱發(fā)射極”晶體管
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簡(jiǎn)介快科技8月15日消息,大家都知道,晶體管是集成電路的基本單元,是如今時(shí)代不可或缺的元件之一。晶體管能夠調控由電子或空穴等載流子形成電流的大小,通常載流子與周?chē)h(huán)境處于熱平衡狀態(tài),稱(chēng)為“穩態(tài)”;但通過(guò)電 ...
快科技8月15日消息,熱發(fā)射極大家都知道,功耗國科管晶體管是降低晶體集成電路的基本單元,是性能學(xué)家新型如今時(shí)代不可或缺的元件之一。
晶體管能夠調控由電子或空穴等載流子形成電流的提升大小,通常載流子與周?chē)h(huán)境處于熱平衡狀態(tài),發(fā)明稱(chēng)為“穩態(tài)”;但通過(guò)電場(chǎng)加速等方法,熱發(fā)射極可以提升載流子的功耗國科管能量,使其成為“熱載流子”。降低晶體
如果能夠有效操控這種高能的性能學(xué)家新型熱載流子,并提高其濃度,提升將有望進(jìn)一步提升晶體管的發(fā)明速度和功能。
近日,降低晶體中國科學(xué)院金屬研究所通過(guò)使用石墨烯等材料,發(fā)明了一種“受激發(fā)射”新型熱載流子生成機制,并構建了“熱發(fā)射極”晶體管,得到了一種既可以降低功耗又具有“負電阻”功能的晶體管,有望用于設計集成度更高、功能更豐富的集成電路。
據了解,此次研究成果新型晶體管由兩個(gè)耦合的“石墨烯/鍺”肖特基結組成。
載流子由石墨烯基極注入,隨后擴散到發(fā)射極,并激發(fā)出受電場(chǎng)加熱的載流子,從而導致電流急劇增加。
這一設計實(shí)現了低于1 mV/dec的亞閾值擺幅,突破了傳統晶體管的玻爾茲曼極限(60 mV/dec)。
此外,該晶體管在室溫下還表現出峰谷電流比超過(guò)100的負微分電阻,展示出其在多值邏輯計算中的應用潛力。
該工作開(kāi)辟了晶體管器件研究的新領(lǐng)域,為熱載流子晶體管家族增添了新成員,并有望推動(dòng)其在未來(lái)低功耗、多功能集成電路中廣泛應用。
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