領(lǐng)先半年時(shí)間 英特爾率先組裝ASML新一代光刻機

當地時(shí)間周四，領(lǐng)先美國芯片巨頭英特爾宣布，半年已開(kāi)始組裝阿斯麥（ASML）的時(shí)間高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻機，這是英特其超越競爭對手的重要一步。

英特爾是爾率首家購買(mǎi)阿斯麥新一代光刻機的公司，這臺機器的先組L新售價(jià)高達3.5億歐元（約合3.73億美元）。盡管存在一定的代光財務(wù)和工程風(fēng)險，但該設備預計將能夠生產(chǎn)體積更小、刻機處理速度更快的領(lǐng)先新一代芯片。

在與記者的半年交流中，英特爾光刻主管馬克·菲利普斯（Mark Phillips）表達了對其決策的時(shí)間堅定信心：“我們在決定購買(mǎi)這些設備時(shí)就已經(jīng)認可了它們的價(jià)格。如果我們不認為這些設備物有所值，英特我們根本不會(huì )采購。爾率”

阿斯麥是先組L新歐洲最大的科技公司，在光刻機市場(chǎng)占據主導地位。代光光刻機是一種利用光束幫助制造芯片電路的設備。

光刻技術(shù)是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技術(shù)之一，它決定了芯片上晶體管的最小寬度——晶體管寬度越小，芯片的處理速度通常越快，能效也越高。

新一代高數值孔徑（High NA）光刻工具預計能大幅減小晶體管的寬度，達到原來(lái)的三分之一。然而，芯片制造商必須在這種顯著(zhù)的成本提升和技術(shù)優(yōu)勢之間進(jìn)行權衡，并考慮現有技術(shù)的可靠性是否已足夠滿(mǎn)足需求。

英特爾的錯誤

英特爾決心率先采用高數值孔徑極紫外光刻機并非偶然。

英特爾雖曾參與開(kāi)發(fā)極紫外光刻技術(shù)，但在開(kāi)始使用阿斯麥首款極紫外光刻機上卻晚于其競爭對手臺積電。英特爾首席執行官帕特·蓋爾辛格（Pat Gelsinger）承認，這是一個(gè)嚴重的失誤。

與此同時(shí)，英特爾專(zhuān)注于所謂的“多重曝光”技術(shù)的開(kāi)發(fā)，其本質(zhì)是使用分辨率較低的光刻機對晶圓進(jìn)行多次光刻，以達到與高端機器相同的效果。

菲利普斯表示：“那就是我們開(kāi)始遇到麻煩的時(shí)候?！?/p>

盡管傳統的DUV光刻機成本較低，但復雜的“多重曝光”操作耗時(shí)且降低了芯片的良品率，這減緩了英特爾的業(yè)務(wù)發(fā)展。

英特爾目前已經(jīng)在制造最關(guān)鍵的芯片部件時(shí)使用了第一代極紫外光刻機，菲利普斯預計，轉用高數值孔徑極紫外光刻機將會(huì )更加順利。

他說(shuō)：“現在我們已經(jīng)有了期待已久的新一代極紫外光刻機，我們不想再犯過(guò)去的錯誤?！?/p>

菲利普斯還表示，位于俄勒岡州希爾斯伯勒園區的這臺新機器預計將在今年晚些時(shí)候全面投入使用。

英特爾計劃在2025年使用這臺巨大的機器開(kāi)發(fā)14A代芯片，并預計在2026年開(kāi)始初步生產(chǎn)，到2027年實(shí)現全面商業(yè)化生產(chǎn)。

阿斯麥在本周公布的最新財報中表示，已開(kāi)始向一位客戶(hù)發(fā)運第二套高數值孔徑極紫外光刻機。這位客戶(hù)可能是臺積電或三星。

由于這些大型設備的運輸和安裝可能需要長(cháng)達六個(gè)月的時(shí)間，因此英特爾此舉已經(jīng)占據了先機。