臺積電搶攻背面供電技術(shù)：預計于2026年量產(chǎn)

據媒體報道，臺積臺積電提出完善的電搶電技背面供電網(wǎng)絡(luò )(BSPDN)解決方案，不過(guò)實(shí)施起來(lái)復雜且成本較高，攻背預計2026年量產(chǎn)。面供

當前，術(shù)預臺積電所倚重的計于超級電軌(Super Power Rail)架構，以其卓越的年量性能與效率，被業(yè)界公認為解決高性能計算(HPC)產(chǎn)品復雜信號傳輸與密集供電需求的臺積直接且高效途徑。

該架構即將在A(yíng)16制程工藝上迎來(lái)大規模應用，電搶電技預示著(zhù)半導體性能與能效的攻背新飛躍。相較于傳統的面供N2P工藝，超級電軌架構在相同工作電壓下，術(shù)預性能提升可達8-10%;反之，計于在維持相同速度的年量前提下，功耗顯著(zhù)降低15-20%，臺積同時(shí)實(shí)現了1.1倍的密度提升。

值得注意的是，背面供電技術(shù)的實(shí)現離不開(kāi)一系列關(guān)鍵性技術(shù)突破。其中，最為關(guān)鍵的一環(huán)在于將芯片背面精細拋光至足以與晶體管實(shí)現緊密接觸的極限厚度，這一過(guò)程雖精妙絕倫，卻不可避免地削弱了晶圓的機械強度。

為應對這一挑戰，臺積電在正面拋光后巧妙引入了載體晶圓粘合技術(shù)，以穩固支撐后續的背面制造工藝，確保了制程的順利進(jìn)行。

此外，納米硅通孔(nTSV)等前沿技術(shù)的融入，也對設備精度與工藝控制提出了更高要求。為確保納米級孔道內銅金屬的均勻沉積，臺積電需投入更多高端設備，以支撐這一精密且復雜的制造流程。

隨著(zhù)臺積電超級電軌架構的逐步量產(chǎn)，其不僅將引領(lǐng)半導體性能與能效的新一輪競賽，更將帶動(dòng)整個(gè)供應鏈上下游的協(xié)同發(fā)展，為整個(gè)行業(yè)注入強勁的增長(cháng)動(dòng)力。