美光在《芯片法案》獲得61.4億美元補貼 未來(lái)約40%的DRAM芯片生產(chǎn)轉移到本土

美國商務(wù)部宣布，美光已經(jīng)與美光簽署了一份不具約束力的芯片芯片初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片法案》提供約61.4億美元的法案直接撥款，另外還有75億美元的億美元補約貸款，以提高美國在尖端存儲半導體生產(chǎn)方面的貼未土競爭力。這些投資將推進(jìn)美光的生產(chǎn)計劃，即未來(lái)20年內將約40%的轉移DRAM芯片生產(chǎn)轉移到美國本土。

美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，這是美光美國半導體制造的歷史性時(shí)刻，而美光領(lǐng)先的芯片芯片內存是滿(mǎn)足人工智能日益增長(cháng)需求的基礎，這將創(chuàng )造許多高科技就業(yè)機會(huì )。法案美光擬議的億美元補約投資將分布在紐約州和愛(ài)達荷州，以在美國創(chuàng )建一個(gè)強大的貼未土領(lǐng)先DRAM芯片生態(tài)系統：

紐約州克萊 - 計劃里四座晶圓廠(chǎng)的前兩座，屬于DRAM工廠(chǎng)，生產(chǎn)是轉移美光未來(lái)20年內在紐約投資約1000億美元長(cháng)期投資計劃的第一步。每座晶圓廠(chǎng)擁有600,000平方英尺的潔凈室，四個(gè)設施的潔凈室空間總計240萬(wàn)平方英尺，這是美國有史以來(lái)宣布的最大潔凈室空間，面積相當于近40個(gè)足球場(chǎng)。

愛(ài)達荷州博伊西 - 投資250億美元建造一座大型晶圓廠(chǎng)，潔凈室約600,000平方英尺，專(zhuān)注于生產(chǎn)領(lǐng)先的DRAM芯片。這與美光的研發(fā)設施位于同一地點(diǎn)，以提高其研發(fā)和制造業(yè)務(wù)的效率，減少技術(shù)轉讓的滯后，并縮短尖端內存產(chǎn)品的上市時(shí)間。

美光承諾，未來(lái)六年內斥資500億美元建造前三座晶圓廠(chǎng)，預計將在紐約州創(chuàng )造9000多個(gè)制造和設施工作崗位以及4500個(gè)建筑工作崗位，并在愛(ài)達荷州創(chuàng )造2000多個(gè)制造和設施工作崗位以及4500個(gè)建筑工作崗位。