三星目標2025年量產(chǎn)2nm工藝：性能和效率顯著(zhù)提升

5月1日消息，星目性據媒體報道，標年三星即將在“VLSI Symposium 2024”上展示其2nm（SF2）工藝中的量產(chǎn)率顯第三代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術(shù)特性，并將在6月16日至20日期間分享更多關(guān)鍵細節。工藝

據三星透露，和效這項新工藝不僅優(yōu)化了多橋-通道場(chǎng)效應晶體管（MBCFET）架構，著(zhù)提還引入了獨特的星目性外延和集成工藝。與現有的標年FinFET技術(shù)相比，該新工藝顯著(zhù)提升了晶體管性能，量產(chǎn)率顯幅度高達11%至46%，工藝同時(shí)可變性降低了26%，和效漏電現象減少了約50%。著(zhù)提SF2的星目性技術(shù)開(kāi)發(fā)工作預計將在2024年第二季度完成，屆時(shí)三星的標年芯片合作伙伴將有機會(huì )選擇這一先進(jìn)的制程節點(diǎn)進(jìn)行產(chǎn)品設計。

三星在半導體工藝領(lǐng)域一直尋求突破，量產(chǎn)率顯尤其在經(jīng)歷了之前與高通合作中的工藝挑戰后，三星更加致力于通過(guò)2nm等先進(jìn)制程技術(shù)來(lái)鞏固其市場(chǎng)地位，并與臺積電等競爭對手展開(kāi)競爭。

為了加強2nm工藝生態(tài)系統的建設，三星已經(jīng)吸引了超過(guò)50個(gè)合作伙伴。此外，今年2月，三星宣布與Arm合作，共同優(yōu)化基于最新GAA晶體管技術(shù)的下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內核，以進(jìn)一步提升性能和效率，為用戶(hù)帶來(lái)前所未有的體驗。

不僅如此，三星還計劃推出第三代3nm工藝，旨在繼續提高芯片密度、降低功耗，并努力提升良品率。此前，三星的初代3nm工藝在良品率方面遭遇挑戰，傳聞其早期良品率僅為20%，主要用于生產(chǎn)加密貨幣相關(guān)芯片。然而，三星并未因此氣餒，而是持續投入研發(fā)，力求在未來(lái)的工藝中取得更好的表現。