長(cháng)江存儲在美國起訴美光 指控對方侵犯其11項專(zhuān)利

近日，長(cháng)江存儲長(cháng)江存儲（YMTC）在美國加州北部地區的美國美光地方法院對美光提起訴訟，指控對方侵犯其11項專(zhuān)利，起訴侵犯其項涉及3D NAND閃存及DRAM產(chǎn)品，指控專(zhuān)利要求法院勒令美光停止在美國銷(xiāo)售侵權的對方存儲器產(chǎn)品，并支付相關(guān)的長(cháng)江存儲專(zhuān)利使用費。

據Blocks & Files報道，美國美光長(cháng)江存儲稱(chēng)，起訴侵犯其項美光的指控專(zhuān)利96層（B27A）、128層（B37R）、對方176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND閃存以及其他一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了長(cháng)江存儲在美國提交的長(cháng)江存儲專(zhuān)利或專(zhuān)利申請。

其實(shí)早在去年11月，美國美光長(cháng)江存儲已經(jīng)在美國加州北部地區的起訴侵犯其項地方法院向美光提起訴訟，指控對方侵犯其8項專(zhuān)利與3D NAND閃存的指控專(zhuān)利專(zhuān)利。此外，對方長(cháng)江存儲還在上個(gè)月，在美國加州北部地區的聯(lián)邦法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢(xún)公司Strand Consult及其副總裁Roslyn Layton散布虛假信息，試圖破壞長(cháng)江存儲的市場(chǎng)聲譽(yù)和商業(yè)關(guān)系。

盡管長(cháng)江存儲在2022年底被美國商務(wù)部列入了實(shí)體清單，無(wú)法從美國公司獲得先進(jìn)的半導體設備來(lái)制造128層及以上的3D NAND閃存，但是仍然努力地通過(guò)原有設備及國產(chǎn)設備繼續開(kāi)發(fā)新技術(shù)?；赬tacking 3.0架構的芯片仍在不斷生產(chǎn)，并且在今年早些時(shí)候，成功地將3D QLC NAND的耐久性大幅提高到3D TLC NAND的水平。此外，長(cháng)江存儲還在開(kāi)發(fā)基于Xtacking 4.0架構的芯片，最快可能會(huì )在今年末出現，層數超過(guò)了300層。